概述：沉積系統(tǒng)可用于制備光學(xué)薄膜、電學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)保護(hù)薄膜和裝飾薄膜等，工藝性能穩(wěn)定、模塊化結(jié)構(gòu)，采用行業(yè)軟件控制系統(tǒng)；4英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±2.5%，8英寸鍍膜區(qū)域內(nèi)片內(nèi)膜厚不均勻性：≤±3.5%，測定標(biāo)準(zhǔn)以Ti靶材，濺射200——500nm厚薄膜，邊緣去5mm，隨機(jī)5點(diǎn)取樣測定為準(zhǔn)。

樣品托面中心到地面的高度約1360mm；

鍍膜材料適用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化鋁，氧化鈦，氧化鋯，ITO，AZO，氮化鉭，氮化鈦等；

PVD平臺(tái)概述：既專注單一功能、又可通過拓展實(shí)現(xiàn)多平臺(tái)聯(lián)動(dòng)：

1、關(guān)鍵部件接口都為標(biāo)準(zhǔn)接口，可以通過更換功能單元實(shí)現(xiàn)電子束、電阻蒸發(fā)、有機(jī)蒸發(fā)、多靶或單靶磁控濺射、離子束、多弧、樣品離子清洗等功能；

2、系統(tǒng)平臺(tái)為準(zhǔn)無油系統(tǒng)，提供更優(yōu)質(zhì)的超潔凈實(shí)驗(yàn)環(huán)境，保障實(shí)驗(yàn)結(jié)果的可靠性和重復(fù)性；

3、系統(tǒng)可以選擇單靶單樣品、多靶單樣品等多層沉積方式；

4、靶基距具有腔外手動(dòng)調(diào)節(jié)功能；

5、系統(tǒng)設(shè)置一鍵式操作，可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)手動(dòng)切換、遠(yuǎn)程控制、遠(yuǎn)程協(xié)助等功能；

6、控制軟件分級(jí)權(quán)限管理，采用配方式自動(dòng)工藝流程，提供開放式工藝編輯、存儲(chǔ)與調(diào)取執(zhí)行、歷史數(shù)據(jù)分析等功能，可以不斷更新和升級(jí)；

7、可以提供網(wǎng)絡(luò)和手機(jī)端查詢控制功能（現(xiàn)場要具備局域網(wǎng)絡(luò)），實(shí)現(xiàn)隨時(shí)查詢數(shù)據(jù)記錄、分析統(tǒng)計(jì)等功能；

8、節(jié)能環(huán)保，設(shè)備能耗優(yōu)化后運(yùn)行功率相比之前節(jié)能10%；；

9、可用于標(biāo)準(zhǔn)鍍膜產(chǎn)品小批量生產(chǎn)。

   互聯(lián)系統(tǒng)技術(shù)描述

   真空互聯(lián)系統(tǒng)由物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)A、物理氣相沉積磁控濺射系統(tǒng)B、物理氣相沉積、電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)A、物理氣相沉積電子束及熱阻蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)B、進(jìn)樣室、出樣室、傳輸管、機(jī)械手等組成，可以實(shí)現(xiàn)樣品在真空環(huán)境下不同工藝方法的樣品薄膜制備和傳遞。