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v 離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果
v 應(yīng)用方向：
? 磁阻式隨機(jī)存取存儲器（MRAM）
? 介電薄膜
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